TK17A80W,S4X和TK13A65U(STA4,Q,M)

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TK17A80W,S4X TK13A65U(STA4,Q,M)

描述 MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32NC 17A 45WTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3Pin(3+Tab) TO-220SIS

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 45 W 40W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 650 V

上升时间 24 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @300V(Vds) 950pF @10V(Vds)

下降时间 7 ns 8 ns

耗散功率(Max) 45W (Tc) 40W (Tc)

工作温度(Max) 150 ℃ -

长度 10 mm 10 mm

宽度 4.5 mm 4.5 mm

高度 15 mm 15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150 ℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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