ADR434BR和ADR434BR-REEL7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR434BR ADR434BR-REEL7 ADR434TRZ-EP-R7

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability串联 10mA

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片

基础参数对比

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

容差 - - ±0.04 %

输出电压 - - 4.096 V

输出电流 - - 10 mA

供电电流 - - 800 µA

输入电压(Max) - - 20 V

输出电压(Max) - - 4.096 V

输出电压(Min) - - 4.096 V

输出电流(Max) - - 10 ma

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

输入电压 - - 6.1V ~ 18V

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 - - ±3 ppm/℃

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