BZV55-C56和PMBT3904M,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C56 PMBT3904M,315 BZV55-C56,115

描述 NXP  BZV55-C56  单管二极管 齐纳, 56 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  PMBT3904M,315  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 260 mW, 200 mA, 100 hFENXP  BZV55-C56,115  单管二极管 齐纳, 56 V, 400 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 2

封装 SOD-80 SOT-883-3 SOD-80

容差 - - ±5 %

针脚数 2 3 2

正向电压 - - 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 260 mW 400 mW

测试电流 2 mA - 2 mA

稳压值 56 V - 56 V

额定功率(Max) - 590 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

频率 - 300 MHz -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @0.1mA, 1V -

直流电流增益(hFE) - 100 -

耗散功率(Max) 500 mW 590 mW -

封装 SOD-80 SOT-883-3 SOD-80

宽度 1.6 mm 0.62 mm -

长度 3.7 mm - -

高度 1.6 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

温度系数 52 mV/℃ - 52 MV/K

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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