对比图
型号 IRF7807ZTRPBF SI4386DY-T1-E3 FDS6690A
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/RSI4386DY-T1-E3 编带FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 - 7 mΩ 12.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 3.1 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 16.0 A 11.0 A
上升时间 6.20 ns 9 ns 5.00 ns
额定功率(Max) 2.5 W 1.47 W 1 W
下降时间 - 10 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3100 mW 2.5W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 11.0 A - 11.0 A
产品系列 IRF7807Z - -
输入电容(Ciss) 770pF @15V(Vds) - 1205pF @15V(Vds)
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 1.9 V
输入电容 - - 1.21 nF
栅电荷 - - 12.0 nC
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99