BC807-25W和BC807DS,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC807-25W BC807DS,115 BC807,215

描述 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistorsNXP  BC807DS,115  双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 600 mW, -500 mA, 160 hFE, SOT-457NXP  BC807,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 3

封装 - SC-74-6 SOT-23-3

频率 - 80 MHz 80 MHz

针脚数 - 6 3

极性 - PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 600 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) - 600 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - 160 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 600 mW -

封装 - SC-74-6 SOT-23-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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