HSMS-2862和HSMS-2862-TR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HSMS-2862 HSMS-2862-TR2G HSMS-2862-TR1

描述 Mixer Diode, 5.5Ω Z(V) Max, Silicon射频检测器 4 VBR 0.3 pFMixer Diode, Ultra High Frequency to C Band, Silicon, SOT-23, 3Pin

数据手册 ---

制造商 HP (惠普) AVAGO Technologies (安华高科) Agilent (安捷伦)

分类 RF二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - 4.00 V -

额定电流 - 100 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 - 3.13 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 1.2 mm -

封装 - SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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