IXFK520N075T2和IXFX520N075T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK520N075T2 IXFX520N075T2

描述 MOSFET N-CH 75V 520A TO-264PLUS N-CH 75V 520A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

漏源极电阻 2.2 mΩ -

耗散功率 1.25 kW 1250 W

阈值电压 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

漏源击穿电压 75 V -

上升时间 36 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 41000pF @25V(Vds) 41000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1250 W 1250 W

下降时间 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1250W (Tc)

极性 - N-CH

连续漏极电流(Ids) - 520A

长度 20.29 mm -

宽度 5.31 mm 5.21 mm

高度 26.59 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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