IRF1407S和IRF1407STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1407S IRF1407STRRPBF

描述 D2PAK N-CH 75V 100AD2PAK N-CH 75V 100A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A

输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

额定功率 - 200 W

通道数 - 1

漏源极电阻 - 7.8 mΩ

漏源击穿电压 - 75 V

上升时间 - 150 ns

下降时间 - 140 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

产品系列 - -

额定功率(Max) - -

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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