CY7C1049CV33-12ZSXA和CY7C1049CV33-12ZSXAT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1049CV33-12ZSXA CY7C1049CV33-12ZSXAT IS61WV5128BLL-10TLI

描述 4兆位( 512K的× 8 )静态RAM TTL兼容的输入和输出 4-Mbit (512 K × 8) Static RAM TTL-compatible inputs and outputs静态随机存取存储器 4Mb 12ns 3.3V 512Kx8 Fast Async 静态随机存取存储器RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

供电电流 95 mA - -

存取时间 12 ns 12 ns 10 ns

存取时间(Max) 12 ns 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

位数 - 8 8

针脚数 - - 44

高度 1.04 mm - 1.05 mm

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

长度 - - 18.54 mm

宽度 - - 10.29 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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