IS43LR32800F-6BL和IS43LR32800G-6BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32800F-6BL IS43LR32800G-6BL

描述 IC SDRAM 256Mbit 166MHz 90BGA动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 TFBGA-90

位数 32 32

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 - 130 mA

存取时间 - 5.5 ns

封装 BGA-90 TFBGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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