IRL630S和IRL630STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL630S IRL630STRLPBF IRL630SPBF

描述 MOSFET N-CH 200V 9A D2PAKMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKMOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 9.00 A - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V - -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A - -

上升时间 57.0 ns - -

输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)

额定功率(Max) - - 3.1 W

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

宽度 - 9.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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