PUMH2,115和PUMH20,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMH2,115 PUMH20,115 BCR148S

描述 NXP PUMH2,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装TSSOP NPN 50V 100mANPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V 30 @20mA, 5V -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

耗散功率 0.3 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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