UCC27325PE4和UCC27425P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC27325PE4 UCC27425P TC4425EPA

描述 双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET DriversMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments3A双高速功率MOSFET驱动器 3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 电源管理FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 PDIP-8 PDIP-8

上升/下降时间 20ns, 15ns 20ns, 15ns 23ns, 25ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 0.78 W 350 mW 0.73 W

上升时间 40 ns 20 ns 35 ns

下降时间 40 ns 15 ns 35 ns

下降时间(Max) 40 ns 40 ns 35 ns

上升时间(Max) 40 ns 40 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 780 mW 350 mW 730 mW

电源电压 4.5V ~ 15V 4V ~ 15V 4.5V ~ 18V

电源电压(Min) 4.5 V 4 V -

电源电压(DC) - 15.0V (max) 4.50V (min)

输出电流 - 4 A -

电源电压(Max) - 15 V -

供电电流 - - 2.50 mA

封装 PDIP-8 PDIP-8 PDIP-8

长度 - 9.81 mm -

宽度 - 6.35 mm -

高度 - 4.57 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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