MRF10005和MZ0912B50Y

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF10005 MZ0912B50Y MZ0912B50Y,114

描述 射频线微波功率晶体管 The RF Line Microwave Power TransistorRF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPNTrans RF BJT NPN 120V 3A 3Pin CDFM Blister

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Advanced Semiconductor NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis - -

引脚数 3 - 3

封装 336E-02 - SOT443A

耗散功率 25 W - -

输出功率 5 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 55 V - -

增益 8.5dB ~ 10.3dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @500mA, 5V - -

额定功率(Max) 25 W - -

封装 336E-02 - SOT443A

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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