M48Z12-70PC1和M48Z12-70PC6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M48Z12-70PC1 M48Z12-70PC6 M48Z02-70PC1

描述 ZEROPOWER® 静态 RAM,STMicroelectronicsZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。16 Kbit的2K位×8 ZEROPOWER SRAM 16 Kbit 2Kb x 8 ZEROPOWER SRAMSTMICROELECTRONICS  M48Z02-70PC1  芯片, 非易失性存储器 10年内部电池供电 16K

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 DIP-24 DIP DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 4.75V ~ 5.5V

电容 - - 10 pF

供电电流 - - 80 mA

针脚数 24 - 24

时钟频率 70.0 GHz - 70.0 GHz

存取时间 70 ns - 70 ns

内存容量 16000 B - 2000 B

存取时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.75V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.75 V

长度 34.8 mm - 34.8 mm

宽度 18.34 mm - 18.34 mm

高度 8.89 mm - 8.89 mm

封装 DIP-24 DIP DIP-24

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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