HYB514175BJ-60和IS41C16256-60K

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HYB514175BJ-60 IS41C16256-60K MSM514265C-60JS

描述 256K ×16位EDO -DRAM 256k x 16-Bit EDO-DRAMDRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 5V 40Pin SOJEDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Integrated Silicon Solution(ISSI) Lapis Semiconductor

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ SOJ

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 40 -

封装 SOJ SOJ SOJ

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 60 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

RoHS标准 - Non-Compliant -

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