BC635-16和BC635,116

对比图

型号 BC635-16 BC635,116 BC635

描述 NPN型中功率晶体管 NPN medium power transistorsSPT NPN 45V 1A625mW PNP complementary silicon transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Micro Electronics

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SPT TO-226-3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 830 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW -

封装 SPT TO-226-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -