PBSS4420D和PBSS4420D,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4420D PBSS4420D,115

描述 20 V , 4的NPN低VCESAT ( BISS )晶体管 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorTSOP NPN 20V 4A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP TSOP-457

引脚数 - 6

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V

集电极最大允许电流 4A 4A

额定功率 - -

最小电流放大倍数(hFE) - 250 @2A, 2V

额定功率(Max) - 1.1 W

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

频率 - 100 MHz

耗散功率 - 2.5 W

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @0.5A, 2V

封装 TSOP TSOP-457

宽度 - 1.7 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ)

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