BD137-16和BD1376S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD137-16 BD1376S 2N5241

描述 12.5W Switching NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.5A Ic, 100 - 250 hFE. Complementary BD138-16Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkTO-3 NPN 400V 5A

数据手册 ---

制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-126-3 TO-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 1.50 A -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 400 V

集电极最大允许电流 - 1.5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 1.25 W -

封装 - TO-126-3 TO-3

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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