对比图
型号 SI5445BDC-T1-GE3 SI5475BDC-T1-E3 SI5445BDC-T1-E3
描述 MOSFET 8V 7.1A 2.5W 33mohm @ 4.5VMOSFET 12V 6A 6.3WMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -8V; RDS(ON) 0.027Ω; ID -5.2A; 1206-8 ChipFET; PD 1.3W
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 ChipFET-8 1206 1206
极性 P-Channel - -
耗散功率 1.3W (Ta) 6.3 W 1.3 W
漏源极电压(Vds) 8 V 12 V 8 V
连续漏极电流(Ids) -71.0 A - -
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 1.3W (Ta)
漏源极电阻 - 0.028 Ω 0.027 Ω
热阻 - 50℃/W (RθJA) -
输入电容(Ciss) - 1400pF @6V(Vds) -
下降时间 - 110 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - - 305pF @15V
长度 3.05 mm 3.1 mm 3.1 mm
宽度 1.65 mm - -
高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm
封装 ChipFET-8 1206 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free