BLF8G10LS-160,112和BLF8G10LS-160,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF8G10LS-160,112 BLF8G10LS-160,118

描述 RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502BRF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502B

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 SOT-502 SOT-502

频率 920MHz ~ 960MHz 920MHz ~ 960MHz

输出功率 35 W 35 W

增益 19.7 dB 19.7 dB

测试电流 1.1 A 1.1 A

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 30 V 30 V

封装 SOT-502 SOT-502

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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