对比图
型号 CY7C1650KV18-400BZC CY7C1650KV18-450BZC
描述 144兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)144兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 - 36
存取时间 - 0.45 ns
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead