对比图
型号 IXKC25N80C SPP17N80C3 SPA17N80C3
描述 ISOPLUS N-CH 800V 25AINFINEON SPP17N80C3. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
额定电压(DC) - 800 V 800 V
额定电流 - 17.0 A 17.0 A
额定功率 - 208 W 42 W
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 150 mΩ 0.25 Ω 0.25 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 227 W 42 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - 800 V
连续漏极电流(Ids) 25A 17A 17.0 A
上升时间 25 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 208 W 42 W
下降时间 10 ns 6 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) - 208W (Tc) 42W (Tc)
长度 11 mm 10.36 mm 10.65 mm
宽度 5 mm 4.4 mm 4.85 mm
高度 16 mm 9.45 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -