SI1922EDH-T1-GE3和SI1988DH-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1922EDH-T1-GE3 SI1988DH-T1-E3 SI1988DH-T1-GE3

描述 VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3A, 20V, 0.165Ω, 4.5V, 400mVMOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

引脚数 - 6 -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

输入电容(Ciss) - 110pF @10V(Vds) 110pF @10V(Vds)

极性 - N-Channel, Dual N-Channel -

连续漏极电流(Ids) - 1.30 A -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

长度 - - 2.1 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 - - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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