FQD4N20TM和IRLR220ATF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD4N20TM IRLR220ATF PHD9NQ20T,118

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=8.7A P=88W

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

耗散功率 2.5 W 33.0 W 88W (Tc)

输入电容 - - 959 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 50 ns - 19 ns

输入电容(Ciss) 220pF @25V(Vds) - 959pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 88 W

下降时间 25 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) - 88W (Tc)

漏源极电阻 1.40 Ω 800 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 200 V 200 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 4.60 A -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 3.00 A - -

通道数 1 - -

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.1 mm - -

高度 2.39 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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