FDS4435和FDS4435BZ

对比图

型号 FDS4435 FDS4435BZ AO4407A

描述 P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4435BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V-30V,-12A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -8.80 A -8.80 A -

通道数 1 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 20 mΩ 0.016 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 3.1 W

输入电容 - 1.36 nF -

栅电荷 - 41.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.80 A -8.80 A 12A

上升时间 13.5 ns 6 ns -

输入电容(Ciss) 1604pF @15V(Vds) 1845pF @15V(Vds) 2600pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 3.1 W

下降时间 25 ns 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta)

额定功率 - - 2 W

漏源击穿电压 30 V - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -