PEMD9,315和PEMD9,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMD9,315 PEMD9,115

描述 SOT-666 NPN+PNP 50V 100mANXP  PEMD9,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-563 SOT-666

针脚数 - 6

极性 NPN+PNP NPN, PNP

耗散功率 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW

高度 0.6 mm 0.6 mm

封装 SOT-563 SOT-666

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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