IR2153STRPBF和LM5100AM/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2153STRPBF LM5100AM/NOPB IR2153STR

描述 IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsMOSFET DRVR 600V 0.4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 14.0V (max) 20.0V (max)

上升/下降时间 80ns, 45ns 430ns, 260ns 80ns, 45ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 625 mW - 625 mW

产品系列 - - IR2153S

下降时间(Max) 100 ns 260 ns 100 ns

上升时间(Max) 150 ns 430 ns 150 ns

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

电源电压 10V ~ 15.6V 9V ~ 14V 10V ~ 15.6V

输出电流 - 3 A -

通道数 2 2 -

静态电流 500 µA 200 µA -

上升时间 80 ns 430 ns -

下降时间 45 ns 260 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压(Max) 20 V 14 V -

电源电压(Min) 10 V 9 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.98 mm 4.9 mm -

宽度 3.99 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.45 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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