对比图
型号 FDP2532 PSMN030-150P,127 IRFZ14PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP2532 晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 150V 55.5A功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 150 V - 60.0 V
额定电流 79.0 A - 10.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.014 Ω - 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 250 W 43 W
阈值电压 4 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 60 V
漏源击穿电压 150 V - 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 79.0 A 55.5 A 10.0 A
上升时间 30 ns - 50 ns
输入电容(Ciss) 5870pF @25V(Vds) 3680pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 250 W 43 W
下降时间 17 ns - 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 310000 mW 250W (Tc) 43 W
额定功率 310 W - -
通道数 1 - -
输入电容 5.87 nF - -
栅电荷 82.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 10.67 mm - 10.41 mm
宽度 4.83 mm - 4.7 mm
高度 9.4 mm - 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -