对比图
型号 STS5N15F3 STS9NH3LL STS19N3LLH6
描述 SO N-CH 150V 5AN沟道30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO- 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFETSO N-CH 30V 19A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 8 - -
耗散功率 2.5 W 2.5W (Tc) 2.7W (Ta)
漏源极电压(Vds) 150 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.7W (Ta)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 4.9 mΩ
极性 N-Channel - N-CH
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 5A - 19A
上升时间 13 ns - -
下降时间 20 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free