CAT25512VI-GT3和SST25VF512A-33-4C-SAE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CAT25512VI-GT3 SST25VF512A-33-4C-SAE M95512-RDW6TP

描述 ON SEMICONDUCTOR  CAT25512VI-GT3  EEPROM, 512 Kbit, 64K x 8bit, 10 MHz, SPI, SOIC, 8 Pins 新SST25VF512A 串行 SPI SuperFlash® 存储器### 闪存,MicrochipPROM 串行 SPI,STMicroelectronics与串行外设接口 (SPI) 总线兼容 ### EEPROM 串行存取 - STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 EEPROM芯片Flash芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

频率 20 MHz - 5 MHz

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.70V (min) -

工作电压 1.8V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V -

无卤素状态 Halogen Free - -

供电电流 3 mA 10 mA 2.5 mA

针脚数 8 - 8

时钟频率 10 MHz 33 MHz 16 MHz

内存容量 64000 B 64000 B -

存取时间(Max) 20 ns 12 ns 80 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 3.6 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.5 V 2.7 V 1.8 V

位数 - 8 -

存取时间 - 33 ns -

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

长度 - 5 mm 3 mm

宽度 - 5 mm 4.4 mm

高度 - 1.5 mm 1 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 3A991 EAR99

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