CY7C1415KV18-250BZI和CY7C1415KV18-250BZXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1415KV18-250BZI CY7C1415KV18-250BZXI

描述 36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - 640 mA

时钟频率 250 MHz 250 MHz

位数 36 36

存取时间 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

长度 15 mm -

宽度 13 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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