STB60NF06L和STB60NF06LT4

对比图

型号 STB60NF06L STB60NF06LT4 NTB60N06G

描述 N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V60A,60V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 60.0 A 60.0 A

漏源极电阻 - 0.016 Ω 14.0 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 110 W 2.4 W

输入电容 - - 3.22 nF

栅电荷 - - 81.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 60.0 A 60.0 A

输入电容(Ciss) - 2000pF @25V(Vds) 3220pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 2.4 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1 V -

上升时间 - 220 ns -

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -