对比图
型号 APT60M75JVR IXKN40N60C IXFN60N60
描述 SOT-227 N-CH 600V 62ASOT-227B N-CH 600V 40AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Screw Chassis Screw
引脚数 4 4 3
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 700W (Tc) - 600 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 62.0 A 40A 60.0 A
上升时间 20 ns 30 ns 52 ns
下降时间 12 ns 10 ns 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 62.0 A - 60.0 A
输入电容 19.8 nF - -
栅电荷 1.05 µC - -
输入电容(Ciss) 19800pF @25V(Vds) - 15000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 700 W - 700 W
耗散功率(Max) 700W (Tc) - 700W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.075 Ω
阈值电压 - - 4.5 V
隔离电压 - - 2.5 kV
工作结温(Max) - - 150 ℃
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
宽度 - - 25.42 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
重量 - - 0.04 kg
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16