对比图
型号 IRLZ44 IRLZ44NPBF IRLZ44N
描述 Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3INFINEON IRLZ44NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 VTO-220AB N-CH 55V 47A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.022 Ω 22 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 83 W 110 W
阈值电压 - 2 V -
输入电容 - 1700 pF -
漏源极电压(Vds) - 55 V 55.0 V
漏源击穿电压 - 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 47A 47.0 A
上升时间 - 84 ns 84 ns
输入电容(Ciss) - 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W -
下降时间 - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 110W (Tc) 110000 mW
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 47.0 A
通道数 - - 1
产品系列 - - IRLZ44N
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
长度 - 10.54 mm 10 mm
高度 - 8.77 mm 15.65 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
宽度 - - 4.4 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead