SIHF15N60E-E3和SIHF15N60E-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIHF15N60E-E3 SIHF15N60E-GE3 SPA16N50C3XKSA1

描述 VISHAY  SIHF15N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 VVISHAY  SIHF15N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  SPA16N50C3XKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.23 Ω 0.23 Ω 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 34 W 34 W 160 W

阈值电压 2 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 560 V

上升时间 51 ns 26 ns 8 ns

下降时间 33 ns 22 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - 560 V

额定电流 - - 16.0 A

连续漏极电流(Ids) - - 16.0 A

输入电容(Ciss) - - 1600pF @25V(Vds)

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 34 W

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10.65 mm

宽度 - - 4.85 mm

高度 - - 16.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tube Bulk Tube

产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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