ULN2803APG和ULN2804AP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2803APG ULN2804AP ULN2801A

描述 500mA,50V,8通道的达林顿晶体管PDIP NPN 50V 0.5ASTMICROELECTRONICS  ULN2801A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 分立器件接口芯片双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 18 18 18

封装 DIP-18 DIP DIP-18

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出电压 2.50 V - 50 V

输出电流 0.5 A - 500 mA

通道数 8 - 8

针脚数 18 - 18

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 760 mW - 2.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

输入电压(Max) 30 V - 5 V

输出电压(Max) 50 V - 50 V

输出电流(Max) 500 mA - 500 mA

额定功率(Max) - - 2.25 W

直流电流增益(hFE) 1000 - 1000

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -20 ℃

耗散功率(Max) 1.47 W - 2.25 W

输入电压 30 V - -

长度 - - 23.24 mm

宽度 - - 7.1 mm

高度 - - 3.676 mm

封装 DIP-18 DIP DIP-18

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -20℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

ECCN代码 - - EAR99

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