对比图
型号 IRF7413ZPBF RSS130N03TB IRF7413ZTRPBF
描述 INFINEON IRF7413ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.8 VMOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定功率 2.5 W - 2.5 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.01 Ω - 0.008 Ω
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 2.5 W - 2.5 W
阈值电压 1.8 V - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13A 13.0 A 13A
上升时间 6.3 ns 30.0 ns 6.3 ns
输入电容(Ciss) 1210pF @15V(Vds) 2000pF @10V(Vds) 1210pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2 W 2.5 W
下降时间 3.8 ns - 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
输入电容 - - 1210 pF
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 13.0 A -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -