AD8512BR-REEL和AD8512BRZ-REEL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8512BR-REEL AD8512BRZ-REEL LT1113CN8

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersIC OPAMP JFET 5.6MHz 8DIP

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) Linear Technology (凌力尔特)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 3.70 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 4.50 MHz

供电电流 2.2 mA 2.2 mA -

共模抑制比 100 dB 100 dB -

输入阻抗 1.25 TΩ 1.25 TΩ -

输入补偿电压 80 µV 80 µV -

输入偏置电流 25 pA 25 pA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 8 MHz 8 MHz -

共模抑制比(Min) - 86 dB -

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 End of Life Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

军工级 No No -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -

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