RB521S30T1G和RB521SM-30FHT2R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB521S30T1G RB521SM-30FHT2R RB521S30T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  RB521S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °CROHM  RB521SM-30FHT2R  肖特基整流器, 200 mA, 单, SOD-523, 2 引脚, 470 mV 新肖特基二极管 Schottky Barrier Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

输出电流 ≤200 mA - ≤200 mA

负载电流 0.2 A - -

针脚数 2 2 -

正向电压 500mV @200mA 470mV @200mA 500mV @200mA

极性 Standard - Standard

耗散功率 200 mW - -

热阻 635℃/W (RθJA) - 635℃/W (RθJA)

反向恢复时间 6 ns - -

正向电流 200 mA 200 mA 0.2 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A 1 A 1 A

正向电压(Max) 500 mV 470 mV -

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A 0.2 A

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

工作结温 - 150℃ (Max) -

长度 1.3 mm - 1.2 mm

宽度 0.9 mm - 0.8 mm

高度 0.7 mm - 0.6 mm

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ 55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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