对比图



型号 AUIRLR2905ZTRL IRLR2905PBF IRLR2905Z
描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON IRLR2905PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 55V 60A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 110 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.027 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 110 W 110 W 110W (Tc)
阈值电压 - 2 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 60A 42A 60A
上升时间 130 ns 84 ns -
输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W -
下降时间 33 ns 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 110000 mW 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.5 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.39 mm -
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -