AUIRLR2905ZTRL和IRLR2905PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRLR2905ZTRL IRLR2905PBF IRLR2905Z

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRLR2905PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 55V 60A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 110 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.027 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 110 W 110W (Tc)

阈值电压 - 2 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 60A 42A 60A

上升时间 130 ns 84 ns -

输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 33 ns 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110000 mW 110W (Tc) 110W (Tc)

长度 6.5 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.39 mm -

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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