对比图
型号 IS42S16100E-7BLI IS42S16100F-7BL IS42VM16100G-6BLI
描述 Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3VSynchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 6.40 X 10.1MM, LEAD FREE, TFBGA-60
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 60 60 60
封装 BGA-60 BGA-60 BGA
供电电流 150 mA 100 mA 55 mA
位数 16 - 16
存取时间(Max) 6ns, 5.5ns - 8ns, 5.5ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
存取时间 - 5.5 ns -
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 3 V -
封装 BGA-60 BGA-60 BGA
高度 0.85 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
ECCN代码 - - EAR99