BC560C和BC560CTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC560C BC560CTA BC560CG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC560C Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45V, 150MHz, 0.5W(1/2W), -100mA, 110 hFEON Semiconductor BC560CTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 10 MHz, 3引脚 TO-92封装ON SEMICONDUCTOR  BC560CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 250 MHz, 625 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 150 MHz 250 MHz

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

额定功率 - - 500 mW

针脚数 - 3 3

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 500 mW 500 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 380 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 110 420 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 625 mW

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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