BSC0906NS和SI7328DN-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC0906NS SI7328DN-T1-E3 SI7328DN-T1-GE3

描述 INFINEON  BSC0906NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 VMosfet n-Ch 30V 35A Ppak 1212-8MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TDSON-8 1212-8 1212-8

引脚数 8 - 8

耗散功率 30 W 3.78W (Ta), 52W (Tc) 3.78W (Ta), 52W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 870pF @15V(Vds) 2610pF @15V(Vds) 2610pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2500 mW 3.78W (Ta), 52W (Tc) 3.78W (Ta), 52W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0038 Ω - -

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 2 V - -

连续漏极电流(Ids) 18A - 35.0 A

上升时间 3.8 ns - -

额定功率(Max) 30 W - -

下降时间 3 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TDSON-8 1212-8 1212-8

长度 5.9 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.27 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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