对比图
型号 IRFM140DPBF JANTXV2N7224U SHD2182BS
描述 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,MOSFET N-CH 100V 34APower Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-267 -
耗散功率 - 4W (Ta), 150W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 100 V -
上升时间 - 190 ns -
下降时间 - 130 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) -
封装 - TO-267 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -