TL062BCDRE4和TL062IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL062BCDRE4 TL062IDR TL062BCDR

描述 低功耗JFET输入运算放大器 LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TL062IDR  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TL062BCDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 3.5V/uS, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - 6V ~ 36V -

供电电流 - 200 µA 200 µA

电路数 - 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 6 mW -

共模抑制比 - 80 dB 80 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K 10.0 µV/K

带宽 1.00 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 - 3 mV 2 mV

输入偏置电流 - 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 1 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

电源电压 - 7V ~ 36V 7V ~ 36V

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/06/15

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