NAND01GW3B2CN6F和TC58DVG02A1FT00

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NAND01GW3B2CN6F TC58DVG02A1FT00 NAND01GW3B2CN6

描述 1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash MemorySLC NAND Flash Serial 3.3V 1G-bit 128M x 8 48Pin TSOP1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类

基础参数对比

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free -

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