AUIRF1010EZSTRR和IRF1010EZSPBF

对比图

型号 AUIRF1010EZSTRR IRF1010EZSPBF IRF1010EZS

描述 D2PAK N-CH 60V 84AINFINEON  IRF1010EZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 60V 84A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 8.5 mΩ 0.0085 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 140 W 140W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 84A 84A 84A

输入电容(Ciss) - 2810pF @25V(Vds) 2810pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 140W (Tc) 140W (Tc)

额定功率 140 W - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 60 V - -

上升时间 90 ns - -

下降时间 54 ns - -

长度 10 mm 10.67 mm -

宽度 9.25 mm 9.65 mm -

高度 4.4 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -