IXFH100N25P和IXTQ100N25P

对比图

型号 IXFH100N25P IXTQ100N25P IXTH96N25T

描述 N沟道 250V 100AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ100N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 VTO-247 N-CH 250V 96A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

耗散功率 600W (Tc) 600 W 625W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

上升时间 26 ns 26 ns -

输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns 28 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 625W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.027 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

阈值电压 - 5 V -

输入电容 - 6300 pF -

连续漏极电流(Ids) - 100 A 96A

额定功率(Max) - 600 W -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -