CBR02C808B3GAC和GJM0335C1ER80BB01D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR02C808B3GAC GJM0335C1ER80BB01D C0603C0G1E0R8B030BF

描述 KEMET  CBR02C808B3GAC  射频电容, 0.8 pF, 25 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C 新0201 0.80 pF 25 V C0G 0.1 pF 容差 多层陶瓷电容Cap Ceramic 0.8pF 25V C0G 0.1pF SMD 0201 125

数据手册 ---

制造商 KEMET Corporation (基美) muRata (村田) TDK (东电化)

分类 电容陶瓷电容电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装(公制) - 1608 0603

封装 0201 0201 0201

容差 ±0.1 pF ±0.1 pF ±0.1 pF

额定电压 25 V 25 V 25 V

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

电容 0.8 pF 0.8 pF -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

电介质特性 - C0G/NP0 -

产品系列 - GJM -

长度 0.60 mm 600 µm 0.6 mm

宽度 0.3 mm 0.3 mm 0.3 mm

封装(公制) - 1608 0603

封装 0201 0201 0201

高度 0.3 mm 0.3 mm -

厚度 0.3 mm 0.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

材质 C0G/-55℃~+125℃ C0G/-55℃~+125℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

最小包装 1 15000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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